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未來勢必要藉由「垂直堆疊」提升密度 ，材層S層300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si / SiGe 疊層結構 ，料瓶利時這次 imec 團隊加入碳元素，頸突 比利時 imec（比利時微電子研究中心） 與根特大學（Ghent University） 宣布 ，破比
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